International Rectifier (IR) har udvidet sin StrongIRFET familie med en ny serie af 20-30 V power MOSFET-kredse til applikationer som eksempelvis højtydende computer- og kommunikationsudstyr. I spidsen for den nye serie er IRL6283M 20 V DirectFET, der udmærker sig ved sin ultra-lave on-state modstand (Rds(on)).
IRL6283M har en Rds(on) modstand på blot 500 µOhm (typisk) i en lavprofil 30 mm2 DirectFET Medium Can pakning for at reducere ledetabene markant. Dette gør den ideel til aktiv OR’ing- og elektronisk sikring (eFuse) applikationer. Den nye 20 V power MOSFET-kreds kan anvendes fra 3,3 V, 5 V eller 12 V forsyningslinjer og har 15% lavere tab ved 20 A end de bedste alternative PQFN-kredse i den samme 30 mm2 formfaktor, og gør det derved muligt for designere at reducere det krævede komponentantal i strømkrævende applikationer.
Ligesom alle de øvrige kredse i DirectFET familien giver IRL6283M mulighed for topside køling for at sikre en forbedret elektrisk- og termisk ydeevne, og har en wirebond-fri konstruktion for at forbedre pålideligheden. DirectFET pakningen opfylder endvidere alle RoHS krav som f.eks. en komplet blyfri Bill-of-Materials (BoM) og er dermed velegnet til designs med en lang livscyklus. Alternative avancerede pakninger er forsynet med meget blyholdig die-fastgøring under RoHS dispensation 7(a), som skal ophøre i 2016.
International Rectifier
Web: http://www.irf.com
