Infineon Technologies AG har med succes fremstillet funktionelle effektelektronikkomponenter på 300-millimeter siliciumkarbid-wafere (SiC-wafere) på sin fabrik i Villach, Østrig. Infineon er den første virksomhed, der når denne milepæl i et fuldskala produktionsmiljø for halvledere. Det er opnået ved at anvende eksisterende produktionsudstyr til silicium (Si).
At man allerede nu har formået at fremstille funktionelle komponenter, vidner om Infineons stærke fokus på at tilbyde kunderne en omfattende portefølje af højtydende SiC-effekthalvledere og sikre langsigtet forsyning. Chip-produktion på 300 mm wafere er teknologisk mere avanceret og betydeligt mere effektiv end på 200 mm wafere, da den større diameter giver 2,3 gange flere chips pr. wafer.
– Denne teknologiske milepæl styrker yderligere vores førende position inden for effektelektroniksystemer. En stor tak til vores engagerede team, som har gjort betydelige fremskridt med at flytte 300-millimeter SiC-teknologien fra laboratoriet til et egentligt produktionsmiljø. At være førende inden for effekthalvledere betyder, at man konstant skal løfte teknologien til næste niveau. Med 300-millimeter wafere baseret på silicium, galliumnitrid og nu siliciumkarbid står vi stærkt rustet til at opskalere produktionen og skabe lønsom vækst, siger Jochen Hanebeck, administrerende direktør for Infineon Technologies.
Milepælen demonstrerer potentialet for en fremtidig industriel fuldskalaproduktion af SiC på 300-millimeter wafere. Infineon vil planlægge udrulningen af 300-millimeter SiC-teknologien og tidshorisonten for opskalering i tæt samarbejde med sine kunder og partnere, samtidig med at virksomheden fortsætter eksekveringen af sin køreplan for 200-millimeter SiC-produktion. Den avancerede SiC-teknologi giver Infineons kunder en omkostningseffektiv og sikker forsyningskilde til anvendelser inden for bilindustrien, vedvarende energi, industrien og datacentre til kunstig intelligens (AI).
Samtidigt har Infineon på sin location i Dresden med succes demonstreret, at virksomhedens “Cold Split”-teknologi kan anvendes til 300-millimeter SiC-wafere. “Cold Split”-teknologien adskiller wafere fra en SiC-krystalblok med mindre materialespild og væsentligt kortere procestid end med de traditionelle trådsave. Det betyder, at man kan udvinde flere wafere fra den samme krystal, samtidig med at investeringsbehovet holdes nede. Begge udviklinger placerer Infineon godt i forhold til at opskalere SiC-teknologien i takt med markedsefterspørgslen og imødekomme kundernes skiftende behov.
Infineon fremstiller halvledere baseret på alle tre relevante materialer: silicium, siliciumkarbid og galliumnitrid. Den 27. oktober 2026 offentliggjorde virksomheden en investering på cirka 1,1 milliarder euro i et produktionsanlæg til fremstilling af GaN-effekthalvledere i stor skala på 300-millimeter-wafere i Villach. Denne milepæl inden for SiC udvider tilgangen til endnu et materiale med bredt båndgab og styrker Infineons position som en førende innovator inden for halvlederproduktion.
