Infineon Technologies AG og Wolfspeed, Inc. har indgået en ny flerårig leveringsaftale vedrørende 200-millimeter siliciumkarbid-wafere (SiC). Aftalen betyder, at det eksisterende leverandørsamarbejde mellem de to virksomheder skifter fra 150-millimeter til 200-millimeter substratteknologi. SiC-halvledere er blevet en afgørende teknologi for elektrificering og energieffektivisering – områder, der driver den globale CO2-reduktion. Det gælder alt fra elbiler og vedvarende energisystemer til strømforsyningsinfrastruktur i datacentre til kunstig intelligens (AI). Aftalen understøtter direkte Infineons omstilling til 200-millimeter SiC-produktion. Den styrker samtidig Infineons position som verdens førende leverandør af effekthalvledere og øger modstandsdygtigheden i forsyningskæden, hvilket er en forudsætning for virksomhedens vækststrategi inden for SiC.
– Siliciumkarbid er kernen i den grønne omstilling, og det er afgørende at sikre en stabil forsyning af 200-millimeter substrater af høj kvalitet for at kunne opfylde vores kunders langsigtede behov. Denne aftale udvider vores i forvejen stærke forsyningsgrundlag for vores 200-millimeter masseproduktion og bygger videre på et 20-årigt samarbejde mellem vores to virksomheder. Det styrker forsyningssikkerheden for vores kunder og giver øget fleksibilitet og skalerbarhed, der understøtter Infineons fremtidige vækst, udtaler Alexander Gorski, driftsdirektør (COO) hos Infineon.
Datacentre til kunstig intelligens (AI) er ved at blive en væsentlig drivkraft for efterspørgslen på SiC-effekthalvledere. Effektiviteten i strømomdannelsen gennem hele datacenterets strømforsyningskæde har direkte betydning for driftsomkostningerne hos de store cloud-udbydere (hyperscalers), der administrerer infrastruktur i stor skala. Takket være deres effektivitet ved skift (switching) og deres termiske egenskaber er SiC-komponenter teknisk velegnede til specifikke trin i strømomdannelsen, hvor almindelig siliciumteknologi når sine praktiske grænser. Sammen med den stigende anvendelse af SiC i drivlinjer til elbiler, solcelle-invertere og industrielle motordrev understøtter disse tendenser et stærkt langsigtet perspektiv for SiC-substrater af høj kvalitet i 200-millimeter-størrelsen.
Overgangen til 200-millimeter SiC-wafere giver betydelige produktionsøkonomiske fordele sammenlignet med produktion baseret på 150-millimeter-wafere. En større waferdiameter øger det anvendelige areal til komponenter pr. wafer, reducerer substratomkostningerne pr. enhed og forbedrer den samlede produktionseffektivitet. Infineon benytter en strategi med flere leverandører af SiC-substrater for at sikre fleksibilitet i forsyningskæden og opretholde kvaliteten på tværs af sit globale produktionsnetværk. Dette omfatter virksomhedens 200-millimeter SiC-fabrik i Kulim, Malaysia – et anlæg i verdensklasse, der er designet til at blive verdens største og mest konkurrencedygtige produktionsfacilitet for siliciumkarbid.
