Toshiba Electronics Europe lancerer en ny -40V P-kanal MOSFET, der er ideel til brug i automotive applikationer som reverse-batteribeskyttelse og motorstyring. TJ200F04M3L har et forbbedret design, der er i stand til at reducere ledertabene. Komponenten er fremstillet i overensstemmelse med den automotive AEC-Q101 standard for kvalificeringskrav til bilindustrien.
Den nye power-MOSFET opnår sin førende og meget lave on-modstand ved at kombinere en chip fremstillet med Toshibas U-MOS VI trench-proces og et TO-220SM hus, der bruger en Cu- (kobber) konnektor. Den lave on-modstand i den nye komponent medvirker til at reducere ledertabene i flere slags elektronisk udstyr.
TJ200F04M3L har absolutte nominelle værdier på VDSS = – 40V, ID = – 200A og RDS(ON) Max = 1,8mΩ ved VGS = 10V. Power-MOSFET’en er i stand til at fungere ved et maksimal kanaltemperatur på 175°C.
Toshiba Electronics Europe
Web: http://www.toshiba.semicon-storage.com/
