Toshiba Electronics Europe lancerer et højstrøm 4.500V, 1.200A effektmodul til brug i jernbane-, industrielle motorstyrings-, vedvarende energi- samt elektriske transmissions- og distributionsapplikationer. MG1200GXH1US61 PMI (plastkapslet IEGT-modul) samler en N-kanall IEGT (injection-enhanced gate transistor) og en fast recovery diode (FRD) i et standardhus med et footprint på blot 140mm x 190mm.
Det nye modul er designet til brug ved meget høje strømme i 4.500V modulklassen og vil potentielt spare energi, plads og vægt i højeffekt, switchede konverter-/inverter- og motorsyrings designs.
MG1200GXH1SU61 har et isolationsniveau på 6.000VAC (rms i ét minut) og kan håndtere en peak turn-off kollektorstrøm på 2.400A. Kollektor effektafsættelsen (v. 25°C) er 4.000W. Driftstemperaturområdet på -40°C til +150°C sikrer kompatibilitet med de udvidede temperaturområder, der kendetegner højvoltapplikationerne.
Toshiba Electronics Europe
http://www.toshiba.semicon-storage.com/
