Toshiba udvikler verdens første 48-lags BiCS (tredimensionel stacked-structure flash-memory)

Toshiba Corporation annoncerer udviklingen af verdens første 48-lags tredimensionelle stacked cell-structure flash-memory under betegnelsen BiCS, en 2-bit-pr.-cell 128-Gigabit (16 Gigabytes) komponent. Sample-produktion af komponenterne under den nye procesteknologi er netop påbegyndt.
BiCS er baseret på en leading-edge 48-lags stacking-proces, der øger pålideligheden af write-/erase-ydelsen og booster write-hastigheden, hvilket er yderst anvendeligt til en række applikationer, primært i solid state drives (SSD).
Siden introduktionen af verdens første produktteknologi inden for 3D flash-memory, har Toshiba fortsat udviklingen  med henblik på at optimere masseproduktionen. For at imødekomme væksten på markedet i 2016 og fremover vil Toshiba proaktivt promovere overgangen til 3D flash-memory gennem roll-out af en produktportefølje rettet mod applikationer med en stor kapacitet som SSD.
Virksomheden er ved at gøre sig klar til masseproduckion i den nye Fab2 på Yokkaichi Operations, produktions-stien for NAND flash-memories. Fab2 er under konstruktion og vil være færdigbygget i første halvdel af 2016 for at imødekomme det øgede behov for flash- memories.