Cree Inc. udvider sin i forvejen store familie af SiC (siliciumcarbid) Schottky-dioder med fire nye 650V typer. De opfylder industriens krav om komponenter til en højere spænding end den hidtidige 600V grænse.
De nye dioder er kendetegnet ved en robust funktion, en enkel udførelse og dermed en lav pris. Karakteristika for de nye Schottky-dioder er nul reverse recovery strøm, højfrekvensdrift med lav støj, temperaturuafhængig switching, minimale krav til ekstra køling og højere surge- og avalanche-egenskaber. De nye komponenter har stort set ingen switch-tab samt en positiv temperaturkoefficient, VF, med parallelkobling uden termisk runaway.
Kredsene leveres som 6A (C3D06065E), 8A (C3D08065E) og 10A C3D10065E Cree Z-Rec dioder i TO-252-2 (DPAK)-huse med et meget beskedent footprint. Den fjerde diode (C3D06065I) med internt isoleret Z-Rec Schottky diode er et alternativ til full-pack dioder, og kredsen er kapslet i et TO-220 hus.
Cree Inc.
Web: http://www.cree.com/power
