Toshiba Electronics Europe (TEE) udvider sin familie af siliciumcarbid (SiC) komponenter med lanceringen af et højeffektivt 3300V, 1500A power-modul. MG1500FXF1US71 PMI (plastkapslet modul-IEGT) integrerer en N-kanal IEGT (injection-enhanced gate transistor) og en SiC fast recovery diode (FRD) i en kapsling med et footprint på blot 140mm x 190mm.
Toshibas nye modul vil spare energi, plads og vægt samt reducere akustisk støj i højeffektive switchede invertere og motorstyringsdesigns. Targetapplikationer inkluderer traktion, industrielle motorstyringer, vedvarende energisystemer samt elektricitetstransmission og – distribution.
Brugen af en SiC Schottky barrier diode (SBD) reducerer væsentligt reverse recovery strømmen og giver en tilsvarende reduktion i slukketabene sammenlignet med siliciumalternativerne. En kombination af en diode og et forbedret internt kapslingsdesign, som reducerer vagabonderende induktanser, gør MG1500FXF1US71 i stand til at fungere med reverse recovery tab op til 97% lavere end moduler, som bruger en konventionel siliciumdiode.
MG1500FXF1US71 har en isolationsspænding på 6000VAC (rms i et minut) og kan håndtere en peak turn-off collector-strøm på 3000A. Collector-effekttabet (ved 25°C) er 5000W. Det operative driftstemperaturområde mellem -40°C og 150°C er kompatibelt med det udvidede temperatureområde, der er gældende for target-applikationerne.
Under udviklingen blev det 3300V, 1500A store hybridmodul indbygget i et jernbanetraktions-inverterdesign. Ved at bruge modulet er den overordnede størrelse af motorstyringen (inklusive kølingssystemet) blevet reduceret med 40%. Dertil kommer, at modulet hjalp til at reducere den akustiske støj og forbedre kørselskvaliteten.
Toshiba Electronics Europe
Web: http://www.toshiba-components.com
