Toshiba Electronics Europe (TEE) introducerer den første 800V power MOSFET baseret på sin højvolt DTMOS IV super-junction teknologi. TK17A80W bruger Toshibas state-of-the-art single epitaksiale proces og er ideel til udstyr, som kræver en høj grad af pålidelighed, energieffektivitet og et kompakt design. Applikationer inkluderer strømforsyninger -adaptere, fly-back konvertere og LED-belysningsudstyr.
Sammenlignet med multiepitaksiale processer giver Toshibas deep-trench teknologi meget lave ON-modstande (RDS(ON)) ved højere temperaturer. Den nye teknologi reducerer også turn-off switching-tabene (EOSS) i forhold til foregående generationer. Kombinationen af en reduceret forøgelse af RDS(ON) ved høje temperaturer og en reduceret EOSS giver en højere effektivitet i strømforsyninger og hjælper designere til at minimere deres systemstørrelser.
DTMOS IV sikrer en hurtigere switch-ydelse ved at reducere parasitkapacitansen mellem gate og drain. Typisk CISS for TK17A80W er blot 1450pF (@VDS=300V, f=100kHz). Maksimale nominelle niveauer er 800VDSS , ±30VGSS og 17A drain-strøm. Maksimal RDS(ON) er 0,3 Ohm.
TK17A80W vil være i masseproduktion inden årets udgang (2014) i en fuldt isoleret TO-220SIS kapsling. Samples er tilgængelige nu. Flere ydelsesoptioner samt TO-220-, DPAK- og IPAK-huse følger senere.
Toshiba Electronics Europe, Tyskland
Tlf:: 0049 211 5296 117
