Cree lancerer markedets første GaN-transistorer til troposfærisk scatter (troposcatter) kommunikationsapplikationer for op til 200W continuous wave (CW) og 4,4—5,0GHz drift. Den nye CGHV50200F GaN high electron mobility transistor (HEMT) har også branchens højeste ydelse til C-bånd applikationer som eksempelvis satellitkommunikation.
De nye 50 Ohm internt matchede 200W GaN HEMT’er har en typisk PSAT på 180W, 11,5dB typisk power gain og 48 procents typisk effektivitet, hvilket går disse SSPA’er (solid state power amplifiers) i stand til at erstatte TWT-rør (traveling wave tube) forstærkere i satellit broadcasting-systemer i form af lettere og mere robuste løsninger.
Den nominelt 200W store CGHV50200F GaN HEMT leveres i en keramisk/metalflange kapsling, der måler 23,75—24,26mm gange 23,01mm inklusive gain og drain.
Cree
Web: http://www.cree.com/RF/Products/Satellite-Communications/Packaged-Discrete-Transistors/CGHV50200F
