En ny power MOSFET, som vil hjælpe til at minimere forbruget i smartphones, tablets og andre ultrabærbare produkter er netop blevet sendt på markedet af Vishay Intertechnology, Inc. Den nye chipscale Micro Foot p-kanal Si8457DB har industriens angiveligt laveste on-modstand med et 1,8V gate-drive og et footprint på 1,6mm x 1,6mm. Det er samtidigt den eneste komponent med en VGS = ± 8V-rating, der giver en ekstra sikkerhedsmargin i lithium-ion batteriforsynede applikationer.
Den nye MOSFET er designet til brug som batteri-switch og load-switch i power management designs, hvor Si8457DB’s on-modstand på blot 19mΩ ved -4,5V, og 23,4mΩ ved -2,5V samt 35mΩ ved -1,8V hjælper til det minimale forbrug. Det er en forbedring på 17 procent i forhold til nærmeste sammenlignelige produkt.
Vishay Intertechnology, Inc.
Web: http://www.vishay.com/ppg?64267
