Cree, Inc. fortsætter med at udvide sit program af SiC-moduler med lanceringen af industriens angiveligt første rene SiC 1,7kV effektmodul kapslet i et standard 62mm hus. Modulet er udstyret med Crees C2M large area SiC-chipteknologi og er et halvbromodul med en imponenrende lav 8mOhm on-modstand og en 10-fold højere switch-effektivitet end eksisterende silicium-modulteknologier. Det nye modul erstatter Si IGBT-moduler på nominelt 400A eller mere.Applikationer vil typisk ligge inden for motordrev, solcelle inverter-applikationer eller lignende højvolt-, højstrømsformål.
Det nye SiC 1,7kV, 8mOhm halvbromodul leveres under partnummeret CAS300M17BM2 fra distributører som Digi-Key, Mouser og Richardson RFPD/Arrow RF & Power. Der er udviklet matchende gate-driver boards sammen med hollandske Prodrive.
Cree, Inc.
Web: http://www.cree.com/Power/Products/SiC-Power-Modules/SiC-Modules/CAS300M17BM2
