International Rectifier (IR) har udvidet sin powerblok familie med en ny IRFHE4250D FastIRFET dual power MOSFET-kreds, der reducerer effekttabet med mere end 5% ved 25 A sammenlignet med klassens bedste konventionelle powerblok kredse. Den nye 25 V dual N-kanal FastIRFET power MOSFET-kreds er målrettet til 12 V input synkrone buck DC/DC-konverterapplikationer, avanceret telecom- og netcomudstyr, servere, grafikkort og desktop-, ultrabook- og notebook computere.
IRFHE4250D er baseret på IR’s nyeste generation silicium og udvider firmaets powerblok pakningsplatform med en 6 mm x 6 mm PQFN-pakning med blotlagt top og en slank profil til bagsidemontering, der kombineret med en fremragende termisk ydeeve, en lav on-state modstand (RDS(on)) og gateladning (Qg) giver en høj powerdensitet og et lavt switchingtab for at reducere det krævede PCB-areal og forbedre den samlede systemeffektivitet.
Ligesom alle IR’s andre powerblok kredse arbejder IRFHE4250D med enhver controller eller driver for at give en stor designfleksibilitet og samtidig give designere en avanceret dual power MOSFET-løsning med højere strøm-, effektivitets- og frekvensegenskaber i et lille paknings-‘footprint’. IRFHE4250D udvider IR’s udvalg af powerblok kredse med en 6 mm x 6 mm PQFN-pakning.
IRFHE4250D er kvalificeret til industriklasse og fugtfølsomhedsniveau 2 (MSL2), og leveres i en 6 mm x 6 mm PQFN-pakning med blotlagt top og udmærker sig ved en miljøvenlig og RoHS-compliant Bill-of-Materials (BoM).
International Rectifier
Web: http://www.irf.com
