M/A-COM Technology Solutions Inc. (“Macom”) lancerer de nyeste MAGX-000912-650L00 og MAGX-000912-650L0S, begge 650W galliumnitrid (GaN) on siliciumcarbid (SiC) HEMT pulseret effekttransistor til L-bånd pulserende aerospace-applikationer. Transistorerne leveres enten med standardflange eller som flangefri kapsling.
MAGX-000912-650L00/MAGX-000912-650L0S er guldmetalliserede, internt matchede, GaN-on-SiC depletion-mode RF-effekttransistorer, der arbejder ved 960 til 1215 MHz frekvensområdet og på så robust en måde, at MTTF er angivet til 600 år.
De internt matchede MAGX-000912-650L0x har et 650W peak-output med et typisk gain på 20 dB og en 62 procents drain-effektivitet. Halvlederstrukturen er designet til at give en høj drain breakdown-spænding (BVdss), der sikrer pålidelig drift ved 50V under ekstreme mismatchede belastningstilstande, hvilket ville være fuldstændigt uhørt med ældre halvlederteknologier. Funktionerne inkluderer en helt flad gain over frekvensydelsen samt en common-source konfiguration til bredbånds klasse AB-operation.
MAGX-000912-650L0x er RoHS-kompatibel og tåler 260°C reflow.
Macom
Web: http://www.macom.com
