M/A-COM Technology Solutions Inc. (“Macom”), der fremstiller RF-, microwave- og millimeterwave produkter, lancerer en ny GaN-on-SiC HEMT pulseffekt-transistor til både civile- og forsvarsradarapplikationer.
MAGX-000035-045000 er en guldmetalliseret matched GaN-on-SiliconCarbide RF effekttransistor optimeret til højtydende RF-applikationer som L-bånd og S-bånd radarer. MAGX-000035-045000 giver typisk 55 W peak output-effekt med 11 dB gain og 55 procents effektivitet.
Komponenten er samlet med state-of-the-art design- og kapslingsteknologier i en Cu/Mo/Cu-flange keramisk kapsling, der gør det muligt at opnå højere effekter og effektiviteter i moderne krævende applikationer.
Macoms nye kreds kører mellem DC og 3500MHz og er en yderst robust komponent med en høj breakdown-spænding og en mean-time-to-failure (MTTF) på 600 years.
Macom
Web: http://www.macom.com
