International Rectifier introducerer en ny generation IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) teknologiplatform. Generation 8 (Gen8) 1200 V IGBT platformen er baseret på IR’s nyeste generation “trench gate field stop” teknologi med kredse i industristandard TO-247 pakninger for at give industrielle– og energibesparende applikationer klassens bedste ydeevne.
De nye Gen8 1200 V IGBT-kredse fås i versioner med en specificeret strømkapacitet fra 8A op til 60A med en typisk VCE(ON) spænding på 1,7 V og en specificeret kortslutningsrating på 10µsek for at reducere effekttabet, som resulterer i en øget effekttæthed og en højere robusthed.
Den nye teknologi giver blødere turn-off karakteristikker, der er ideelt til motordrevapplikationer, minimerer dv/dt for at reducere EMI og overspænding, som giver en øget pålidelighed og robusthed. En snæver distribution af parametre giver en excellent strømdeling, når man parallelkobler flere IGBT-transistorer. “Thin wafer” teknologien resulterer i en forbedret termisk modstand og en maksimal specificeret junction-temperatur på op til 175°C.
International Rectifier
Web: http://www.irf.com
