International Rectifier har introduceret en ny familie af robuste og ultrahurtige 1200 V IGBT-transistorer (Insulated-Gate Bipolar Transistor), der er optimeret til industrielle motordrev og UPS-systemer.
De nye 1200 V IGBT-kredse udnytter IR’s såkaldte ‘field stop trench ultra-thin wafer’ teknologi, der giver lave lede- og switchingtab. Kredsene er co-pakkede med en soft-recovery diode med lav Qrr og har en specificeret minimum kortslutningstidsrating på 10 µsek og er optimeret til robuste industrielle applikationer.
De nye 1200 V trench IGBT-transistorer har en meget lav Vce(on) spænding og lave switchingtab og giver samtidig en høj systemeffektivitet og en robust transientperformance, der øger systemets pålidelighed og gør dem velegnede til barske industrielle miljøer.
IGBT-kredsene leveres i TO-247 pakninger og dækker et bredt strømområde fra 10 A til 50 A. Af andre vigtige performancemæssige egenskaber kan nævnes en Tjmax på 150°C, en positiv VCE(on) temperaturkoefficient, der gør det let at parallelkoble flere kredse, samt en lav VCE(on) spænding for at reducere effektforbruget og give en højere effektdensitet. IR kan også levere de nye kredse som die-baserede IGBT-produkter.
International Rectifier
http://www.irf.com
