STMicroelectronics vil bygge en integreret siliciumcarbid (SiC) substratproduktionsfacilitet (waferfab) i Italien for at understøtte den stigende efterspørgsel fra STs kunder efter SiC-enheder typisk fra bilindustrien og de generelle industriapplikationer, efterhånden som de går over til elektrificering og søger højere effektivitet. Produktionen forventes at starte i 2023.
SiC-fab’en blvier bygget påST’s Catania-campus i Italien side-om-side med de eksisterende produktionsfaciliteter, og det vil være den første af sin slags i Europa til volumenproduktion af 150mm SiC epitaksiale substrater, der integrerer alle trin i produktionsflowet. ST har i øvrigt fortalt om sine planer for at udvikle 200 mm wafers i en nær fremtid.
Dette projekt er et vigtigt skridt i at fremme STs vertikale integrationsstrategi for sin SiC-forretning. Investeringen på 730 millioner euro over fem år vil blive støttet finansielt af staten i Italien inden for rammerne af den nationale regionale bæredygitghedsplan, og projektet vil skabe omkring 700 direkte yderligere job efter færdiggørelsen.