Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba”) har med sin teknologiske ekspertise inden for wide bandgap (WBG) halvlederprocesser introduceret et nyt, kompakt, men yderst effektivt MOSFET-modul. Det nye MG800FXF2YMS3-modul indeholder dual-kanal silicon carbide (SiC) MOSFET til nominelt 3.300V med en samtidig evne til at supportere strømme op til 800A. Typiske applikationer for disse højeffekt og kompakte moduler inkluderer industrielle drev og motorstyringer, effekt-invertere til bæredygtig energiproduktion samt konvertere og invertere til den elektriske jernbaneinfrastruktur.
En vital parameter bag den høje ydelse i Toshibas nye SiC MOSFET-moduler er virksomhedens egen kapslingsteknologi. De intelligente, fleksibelt kapslede lavvolt-komponenter (iXPLV), der bliver brugt i modulerne er baseret på en avanceret intern sintret sølv bonding-teknologi, som medvirker til at løfte driftseffektiviteten. Teknologien supporterer driftstemperaturer helt op til 175°C med en garanti for isolation op til 6.000VRMS. Tab for turn-on og turn-off switching er holdt så lavt som henholdsvis 250mJ og 240mJ med vagabonderende induktanser helt nede på kun 12nH (typisk).
For mere information, besøg venligst:
https://toshiba.semicon-storage.com/eu/semiconductor/product/mosfets/sic-mosfet-modules/detail.MG800FXF2YMS3.html