Nexperia lancerer sin power-MOSFET med den hidtil laveste RDS(on). Nexperias serie af lavspændings power-MOSFETs med industriens laveste RDS(on) er allerede anerkendt i branchen, men den nyeste PSMNR51-25YLH sætter helt nye standarder med en on-modstand på kun 0,57 mΩ ved 25 V. Den markedsførende ydelse er opnået med Nexperia’s enestående NextPowerS3-teknologi og uden at sælge ud af andre vigtige parametre som den maksimale drain-strøm, ID(max), Safe Operating Area (SOAR) eller gate-ladning, QG.
Komponenter med meget lave RDS(on) værdier kræves i en række applikationer som OR-ing, hot-swap operation, synkron ensretning, motorstyring og batteribeskyttelse, hvor man vil reducere I²R-tabene og øge effektiviteten. Visse konkurrerende komponenter med sammenlignelige RDS(on)-værdier har dog et reduceret SOAR – en målestok for MOSFET’ens robusthed – samt reduceret ID(max) på grund af de mindre celle-strukturer. Nexperias PSMNR51-25YLH MOSFET tåler derimod en maksimal drain-strøm på op til 380A. Denne parameter er især vigtig i motorstyringer, hvor et motor-stall kan resultere i meget høje peak-strømme i korte perioder, hvilket MOSFET’en skal kunne tåle for fortsat sikker og pålidelig drift. Visse konkurrenter angiver kun teoretiske ID(max)-værdier, mens Nexperia kan demonstrere kontinuert strømhåndtering op til 380A.
Komponenten er kapslet i et LFPAK56-hus, Nexperias 5mm x 6mm Power-SO8 kompatible kapsling, der giver en høj ydelse med sin kobber-clip konstruktion, der absorberer termisk stress, øger levetiden, samt kvalitet og pålidelighed over komponentens samlede levetid.
Typiske applikationer inkluderer: batteribeskyttelse, børsteløse DC (BLDC) motorstyringer (fuldbro, 3-fasede topologier); serverforsyninger til OR-ing, hotswap-drfit og synkron ensretning.
Mere information om de nye low RDS(on) MOSFETs, inklusive produktspecs og datablade kan findes på: http://www.nexperia.com/nextpowers3