Nexperia annoncerer sit indtog på GaN FET-markedet med introduktionen af 650V GAN063-650WSA komponenten, en yderst robust komponent med en gate-source spænding (VGS) på +/- 20V og et temperaturområde på -55 til +175°C. GAN063-650WSA har en lav RDS(on) – ned til 60mΩ – og med en hurtig switching, der sikrer en meget høj effektivitet.
Nexperia kigger i retning af de højtydende applikationer som e-biler, datacentre, telecom-infrastrukturen, industriel automation og high-end strømforsyninger med sine GaN-produkter. Nexperias GaN-on-silicon proces er yderst robust og modnet med en gennemprøvet kvalitet og pålidelighed samt en høj skalérbarhed, da wafers kan fremstilles i virksomhedens eksisterende silicium-fabs. Desuden leveres den nye komponent i det industrielt standardiserede TO-247 hus, så kunder kan opnå fordelen fra den exceptionelt høje GaN-ydelse i en kendt kapslingstype.
Toni Versluijs, administrerende direktør for Nexperias MOS Business Group fortæller, at det nye tiltag er et strategisk træk for Nexperia ind i højvoltområdet, hvor virksomheden nu kan levere teknologi, der egner sig til el-bil halvlederløsninger. Neperias GaN-teknologi er klar til volumenproduktion med en skalérbarhed, der opfylder behovene i højvolumenapplikationer. Den automotive sektor er i høj grad i fokus for Nexperia, og virksomhedens forventer er stor vækst på dér område, da el-køretøjer inden for to årtier forventes at overtage de traditionelle forbrændingsmotorer som den foretrukne drivkraft bag såvel privat som offentlig transport.
GAN063-650WSA GaN FET’en fra Nexperia er det første produkt i en portefølje af GaN-komponenter, som Nexperia udvikler med henblik på den automotive sektor, kommunikationsinfrastrukturen og de industrielle markeder.
Mere information om den nye GAN063-650WSA, inklusive produkt-specs og datablade er tilgængelige på https://efficiencywins.nexperia.com/innovation/gan-introduction.html