Nexperia lancerer nye 80V- og 100V ASFETs med forbedret SOA-ydelse rettet mod hot-swap og softstart applikationer i 5G telecom-systemer og 48V servermiljøer samt industrielt udstyr, der behøver en e-fuse og batteribeskyttelse.
ASFETs er en ny type MOSFETs til specielle designs, hvor man fokuserer på specifikke parametre, der er kritiske for en given applikation – somme tider på bekostning af andre og mindre vigtige parametre for designet. Det åbner døren for helt nye ydelsesniveauer. De nye hot-swap ASFETs bruger en kombination af Nexperias nyeste halvlederteknologi og en kobber-clip kapsling, hvilket i høj grad styrker SOA (Safe Operating Area) og minimerer pladsbehovet på printet.
Tidligere har MOSFETs lidt under Spirito-effekten, hvor SOA-ydelsen falder dramatisk som følge af termisk ustabilitet ved højere spændinger. Nexperias robuste, forbedrede SOA-teknologi eliminerer det såkaldte Spirito-knæk og øger SOA med 166% ved 50V, sammenlignet med tidligere D2PAK-generationer.
Endnu et vigtigt fremskridt er inklusionen af 125°C SOA-karakteristika på databladet. Som Mike Becker, Senior International Product Marketing Manager hos Nexperia påpeger, så er SOA traditionelt kun specificeret ved 25°C, så ingeniører skal derate for drift i varmere omgivelser. Nexperias nye hot-swap ASFETs inkluderer en 125°C SOA-specifikation, hvilket eliminerer behovet for at beregne Nexperias fremragende ydelse ved selv forhøjede temperaturer.
De nye PSMN4R2-80YSE (80V, 4,2mΩ) og PSMN4R8-100YSE (100V, 4,8mΩ) hot-swap ASFETs er kapslet i de Power-SO8 kompatible LFPAK56E-huse. De enestående interne kobber-clip konstruktion fo kapslingen forbedrer den termiske og elektriske ydelse med et samtidigt betydelige reduceret footprint. De nye LFPAK56E-produkter er kun 5mm x 6mm x 1,1mm, hvilket reducerer pladsbehovet på printet med henholdsvis 80% (areal) og 75% (højde) sammenlignet med tidligere D2PAK-generationer. Komponenterne hardesuden en maksimal junction-temperatur på 175°C, så de opfylder kravene fra IPC9592 med hensyn til telecom- og industriapplikationer.
– En yderligere fordel er den forbedrede strømdeling i high-power applikationer, som kræver multiple hot-swap MOSFETs i parallel. Det forbedrer pålideligheden og reducerer systemomkostningerne. Nexperia er i udtalt grad anerkendt som markedsledende inden for hot-swap MOSFETs. Med de nyeste ASFETs har vi igen løftet barren for det mulige, siger Mike Becker.
De nye hot-swap ASFETs bliver fremstillet på Nexperias nye 8”-waferfab i Manchester, UK, med kapacitet til volumenordrer. For mere information, inklusive produkt-specs og datablade, besøg venligst: https://www.nexperia.com/products/mosfets/application-specific-mosfets/asfets-for-hotswap-and-soft-start
Man kan se den nye teknologi i aktion under Nexperias Power Live Event 21 – 23 September https://www.nexperia.com/power-live