Nexperia har netop lanceret en ny kapslinger i sin MOSFET- og LFPAK-familie, som – kombineret med den nyeste siliciumteknologi – giver 40V MOSFETs, der kan udvise en RDS(on) på bare 0,7 mΩ (milliohm). LFPAK88-komponenterne erstatter de større kapslinger som D²PAK og D²PAK-7 og giver med deres bare 8mm x 8mm en reduktion i footprint med hele 60 procent – samt en 64 procent lavere profil.
Modsat andre kapslinger, hvor ydelsen ofte er begrænset af intern wire-bonding, så bruger LFPAK88 en kobber-clip og loddet die-befæstigelse, hvilket giver ultralav elektrisk og termisk modstand, en god strømfordeling og dermed også en effektiv varmespredning. Dertil kommer, at den termiske masse for kobber-clip’en også mindsker dannelse af hot-spots, som igen medfører en forbedret avalanche-ydelse (Eas) og en generelt bedre linearitet (SOA). Kombinationen af dokumenterede høje drain-strømme (ID(max) 425A) og en lav RDS(on) på 0,7 mΩ i en endnu mindre kanspling giver markedets bedste effekttæthed, der er op til 48 gange bedre end typiske D2PAK-komponenter.
Endelig er LFPAK88 med sit low-stress mågevinge lead-design mere robust og termisk effektiv, hvilket har ført til en pålidelighed, der er rundt regnet to gange bedre end kravene i AEC-Q101.
LFPAK88 MOSFETs findes i såvel automotivt kvalificerede (BUK) som industrielle (PSMN) typer. Automotive applikationer inkluderer bremser, servostyring, reverse-polaritet batteribeskyttelse samt DC/DC-konvertere. Her kan pladsbesparelserne opnås med komponenterne i dual-redundante kredsløb, hvor de er særdeles effektive. Industrielle applikationer omfatter batteriforsynet elværktøj, professionelle strømforsyninger samt udstyr til telecom-infrastrukturen.
Mere information om de nye 40V LFPAK88 MOSFETs, inklusive produkt-specifikationer og datablade på: http://www.nexperia.com/lfpak88.