Toshiba Electronics Europe lancerer en ny 100V, 160A power-MOSFET med en skærpet tærskelspænding (Vth) i forhold til tidligere komponenter. En skarpt afgrænset tærskelspændingsspecifikation er særdeles vigtig i switchede applikationer, og TK160F10N1L giver en min/max Vth på 2,5V/3,5V sammenlignet med forgængerens 2V/4V-område.
De nye MOSFET’er er ideelle til automotive effekt-switching applikationer. I disse designs bidrager den skærpede Vth-specifikation til en reduktion af dødtiden i halv-/H-/B6-brotopologier. Det skyldes, at den maksimale Vth-forskel mellem low-side- og high-side MOSFET’erne er mindre.
I applikationer, hvor MOSFET’erne er forbundet i parallel fører skærpede Vth-specifikationer til bedre synkron switching af parallelkoblede MOSFETs. Derfor vil switch-tabene blive fordelt mere jævnt mellem MOSFET’erne. Hvis en enkelt MOSFET tænder tidligere eller slukker senere end andre MOSFETs i en parallelkobling, så vil switch-tabene blive koncentreret om denne ene MOSFET.
Toshibas nyeste UMOS VIII-H halvlederproces, som er blevet anvendt i TK160F10N1L understøtter en fremragende undertrykkelse af switch-ripple, hvad der bidrager til en minimering af den elektriske støj. Typiske applikationer for den nye MOSFET inkluderer elektriske motorer i automotive 48V-systemer, DC/DC-konvertere og belastnings-switche.
TK160F10N1L leveres i et TO-220SM(W) hus, har en maksimal on-modstand (RDS(ON)) på 2,4mΩ og vil være i overensstemmelse med de automotive AEC-Q101 kvalificeringskrav
Toshiba Electronics Europe
Web: http://www.toshiba.semicon-storage.com.
