Nexperia fortæller, at de første produkter, som bliver fremstillet på virksomhedens waferfab i Manchester, UK, vil være 80V- og 100V MOSFETs med en lav RDS(on) og lavt Qrr. Komponenterne bliver fremstillet med Nexperias NextPower siliciumteknologi. Den nye wafer-linje udvider Nexperias kapacitet med øjeblikkelig virkning, og de nye PSMN3R9-100YSF (100 V) og PSMN3R5-80YSF (80 V) MOSFETs vil få branchens laveste Qrr- produkt (RDS(on) x Qrr).
– Med den globale mangel på halvledere vil Nexperias investeringer i at øge kapaciteten over alle koncernens produktions-sites – inklusive koncernens Manchester- og Philippiner-linjer, hvor de nye MOSFETs bliver fremstillet – være yderst velkommen hos inkøberne. Designere vil også sætte pris på den høje ydelse på de nye MOSFETs. De er velegnede til mange swtich-applikationer og er samtidigt en ægte second-source til andre producenter komponenter, kommenterer Mike Becker, Nexperias produktchef.
NextPower 80V- og 100V silicium MOSFET’erne har en stærkt forbedret RDS(on), der er faldet fra 7mΩ for den foregående generations 100V-komponenter til bare 4,3mΩ for de nye komponenter, hvilket resulterer i en øget effektivitet. NextPower-teknologier giver også klassens bedste lave Qrr på 44nC for 100V-komponenten, hvilket mindsker spikes og støjesmission. Det overordnede tal for Qrr-produktet er 61 procent lavere for 100V-komponenterne i forhold til konkurrerende dele.
De nye 80V- og 100V MOSFETs leveres i Nexperias termisk og elektrisk højtydende LFPAK56E kobber-clip kapslinger. Komponenterne egner til en lang række switchende applikationer inklusive AC/DC- og DC/DC-konvertere samt motorstyringer.
For mere information, inklusive productspecs og datablade, se venligst: http://www.nexperia.com/products/mosfets/family/NEXTPOWER-80-100V-MOSFETS
