Designere af traktion (TPU), UPS’er og solid-state transformere (SST) samt industrielle motordrev og løsninger til energiinfrastrukturen har brug for højspændings switching-teknologi for at øge effektiviteten, reducere systemstørrelsen og forbedre pålideligheden. Microchip Technology Inc. Udvider nu deres SiC-portefølje med markedets laveste on-modstand [RDS(on)] 3,3 kV SiC MOSFET og højeste strøm ratede SiC SBD’er, så designere kan udnytte komponenternes robusthed, pålidelighed og ydelse maksimalt. Med udvidelsen af Microchips SiC portefølje får designere værktøjer til at udvikle mindre og lettere, men mere effektive løsninger til elektrificeret transport, vedvarende energi, rumfart og industrielle applikationer.
Mange siliciumbaserede designs har nået deres grænse for effektivitetsforbedring, omkostningsoptimering og applikationsinnovation. Selvom højspændings SiC har leveret et gennemprøvet alternativ til at levere disse resultater, har tilgængeligheden af 3,3 kV SiC komponenter væres begrænset. Microchips 3,3 kV MOSFET og SBD’er slutter sig til firmaets omfattende portefølje af SiC løsninger der inkluderer 700V, 1200V og 1700V dies, diskrete komponenter, moduler og digitale gate-drivere.
Microchips 3,3 kV SiC power enheder inkluderer MOSFETs med markedets laveste RDS(on) på 25 mOhm og SBD’er med markedets højeste nominelle strøm på 90 ampere. Både MOSFETs og SBD’er fås som dies eller kapslede. De nye ydelsesniveauer gør det muligt for designere at forenkle deres design, skabe systemer med højere effekt og anvende færre parallelle komponenter, så der opnås mere effektive effektløsninger.
Den udvidede SiC portefølje understøttes af en serie af SiC SPICE modeller, der er kompatible med Microchips MPLAB Mindi analoge simulatormoduler og referencedesigns. Intelligent Configuration Tool (ICT) giver udviklere mulighed for at modellere effektive SiC gatedriver- indstillinger til Microchips Agileswitch familie af programmerbare digitale gate drivere.
Microchip Nordic
Tlf.: 44 85 59 10
