Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba”) udvider sin i forvejen omfattende portefølje af energibesparende n-kanal MOSFETs med introduktionen af SSM6N951L. Med udgangspunkt i virksomhedens ekspertise inden for avancerede effekthalvledere og cutting-edge IP giver disse 12V (nominelt) common-drain komponenterne en række driftsparametre, som er førende inden for industrien.
SSM6N951L er specifikt tiltænkt brug i batteribeskyttelseskredsløb, som indgår i Li-Ion batteripakker. Komponenternes ultralave on-modstand (4,6mΩ maksimalt ved en VGS på 3,8V) og minimale gate-source lækstrøm (1μA maksimalt ved en VGS på 8V) betyder, at de diskrete effektkomponenter udviser meget bedre termiske karakteristika end konkurrenternes. Der er især af værdi under batteripakkernes op- og afladningscyklusser, så højere effekttætheder og support af hurtigere ladeforløb kan blive en realitet med en samtidig meget højere pålidelighed og længere funktionel levetid.
De nye MOSFETs leveres i lavprofil TCSP6A-172101 huse (med dimensionerne 2,14mm x 1,67mm x 0,11mm). Komponenter er derfor optimerede til implementering i moderne pladsbegrænset, batteridrevent udstyr.
For mere information, se venligst:
https://toshiba.semicon-storage.com/eu/semiconductor/product/mosfets/detail.SSM6N951L.html
