Toshiba Electronics Europe annoncerer en ny serie af ultraeffektive, high-speed, højvolt MOSFET’er til switchende spændingsregulatordesigns. De fire nye N-kanal komponenter er til nominelt 800V og 900V med typiske on-modstande ned til blot 1,9Ω. Målapplikationer er flyback-konvertere i LED-belysning, supplerende strømforsyninger og andre kredsløb, der krææver switching under 5A.
De nye enhancement-mode MOSFET’er er baseret på Toshibas 8. generations π-MOS VIII (Pi-MOS-8) af planare halvlederprocesser, der kombinerer høj celleintegrationsniveauer med optimerede celledesigns. Denne teknologi giver reducerede gate-ladninger og –kapacitanser, uden at fordelene ved en lav RDS(ON) sættes over styr.
MOSFET’er er lavstrøms supplementer til Toshibas eksisterende DTMOS IV line-up af 800V superjunction DTMOS4-komponenter. 2,5A TK3A90E- og 4,5A TK5A90E-typerne har VDSS-niveauer på 900V med respektive typisk RDS(ON) på 3,7Ω og 2,5Ω. Både 4,0A TK4A80E- og 5,0A TK5A80E-typerne har VDSS-niveauer på 800V med RDS(ON) på henholdsvis 2,8Ω og 1,9Ω.
Toshibas nye MOSFETs har en ultralav maksimal lækstrøm på kun 10μA (VDS = 60V) og et gate-tærskelspændingsniveau mellem 2,5V og 4,0V (med VDS på 10V og en drain-strøm på 0,4mA). Alle komponenter leveres i en standard TO-220SIS kapsling.
Toshiba Electronics Europe
Web: http://www.toshiba.semicon-storage.com
