Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba”) lancerer en ny diskret 1350V IGBT (insulated gate bipolar transistor) til brug i resonansbaserede hvidevareapplikationer, der bruger induktiv opvarmning som induktionskomfurer, riskogere og mikrobølgeovne.
Den nye GT20N135SRA IGBT har en collector-emitter mætningsspænding (VCE(sat)) på 1,60V (typ.) samt en forward-diodespænding (VF) på 1,75 V svarende til en reduktion på henholdsvis 10% og 21% sammenlignet med konventionelle produkter. Da både IGBT og diode har forbedrede tabskarakteristika ved selv høje temperaturer (TC=100℃), giver komponenten en meget effektiv drift.
En forbedret maksimal termisk modstand, junction-to-case (Rth(j-c)), på 0,48℃/W letter det termiske design med mindre behov for køleplader, hvilket er en reduktion på rundt regnet 26% i forhold til eksisterende produkter.
Den nye GT20N135SRA kan undertrykke de kortslutningsstrømme, der går gennem resonanskondensatoren, og som genereres, når komponenten startes. Det nye produkts peak-kortslutningsstrøm er 129A, omtrent en tredjedel lavere end for eksisterende produkter. Komponentens safe operating area (SOAR) er udvidet, så IGBT’en er mindre tilbøjelig til at bryde ned, hvad der giver designerne en større fleksibilitet.
Den nye komponent er kapslet i et industristandard TO-247 hus og er i stand til at håndtere en maksimal collector-strøm (IC) på 40 A, hvilket reduceres på grund af derating til 20A ved 100℃.
Se venligst linket nedenfor for mere information om Toshibas IGBT produkt line-up:
https://toshiba.semicon-storage.com/eu/semiconductor/product/bipolar-transistors-igbt/detail.GT20N135SRA.html
