Toshiba Electronics Europe GmbH lancerer en 12V common-drain N-kanal MOSFET til nominelle strømme op til 20A og til brug i batteribeskyttelseskredsløb i lithium-ion (Li-ion) batteripakker, som typisk anvendes i smartphones, tablets, energilagre, kompakte digitalkameraer, digitale SLR-kameraer og lignende applikationer.
Li-ion batteripakkers sikkerhed er udbygget med meget robuste beskyttelseskredsløb, der mindsker varmegenerering under opladning og afladning. For at kunne opfylde ladekravene skal disse kredsløb selv kun trække en meget lille strøm. Den kompakte natur af disse løsninger betyder, at egnede MOSFETs skal være meget små og tynde og samtidigt levere en meget lille on-modstand.
Den nye 20A SSM14N956L er sig til 12V source-to-source spænding (VSSS) og bruger Toshibas mikroproces, i stil med den tidligere lancerede 13,5A SSM10N954L. Det sikrer en fremragende lav on-modstand (RSS(ON)) ned til 1mΩ, hvilket minimerer ledetabene. Desuden har procesteknologien en meget lav gate-source lækstrøm (IGSS) på ±1µA (max.), hvilket sikrer et lavt standby-forbrug. Samlet giver disse kvaliteter en lang batterifunktionstid mellem opladningerne.
For at kunne passe ind i trange designs, som er typiske for disse applikationer, er den nye SSM14N956L designet som en chip-scale package, kendt som TCSPED-302701. Dimensionerne er blot 2,74mm x 3,0mm med en typisk højde på kun 0,085mm.
Udskibning af de nye komponenter er allerede påbegyndt, og Toshiba vil forsætte med at udvikle MOSFET-produkter til beskyttelseskredsløb i apparater, der er strømforsynet af lithium-ion batteripakker.
Mere information om SSM14N956L kan findes på Toshibas website: https://toshiba.semicon-storage.com/eu/semiconductor/product/mosfets/detail.SSM14N956L.html
