Nexperia, eksperten inden for vitale halvledere, har netop offentliggjort sine nyeste, bedre elektrotermiske modeller for programmet af MOSFETs. Producenter af halvledere udgiver jævnligt simuleringsmodeller for deres MOSFETs, men modellerne dækker normalt kun et begrænset antal komponentparametre med modellering ved typiske driftstemperaturer. Nexperias nye avancerede modeller sikrer den termiske gensidige afhængighed i et komplet sæt parametre over den samlede bredde af driftstemperaturerne fra -55°C til 175°C.
Den overordnede præcision bliver ydermere underbygget af reverse-diode recovery-tid og komponenternes elektromagnetiske ydelse (EMC) i disse avancerede modeller. Det gør designere i stand til at skabe præcise simuleringer på komponent- og systemniveau og beskriver de elektriske, termiske og EMC-mæssige forhold, før man kaster sig ud i et prototypedesign. Modellerne hjælper også til at spare tid og ressourcer, da ingeniører – som tidligere skulle sikre, at deres designs ville kunne fungere under selv (usandsynlige) worst-case forhold – nu kan simulere deres designs over specifikke temperaturområder.
Nexperia har udviklet modeller i tætsamarbejde med sine Tier 1 OEM-kunder, hvis designkrav ikke har kunnet opfyldes af tidligere modeller. De nye avancerede elektrotermiske modeller skal give designerne den ultimative grad af tillid til deres kredsløbssimuleringer. Det hidtil usete høje præcisionsniveau er et bevis på, hvor nøjagtigt modellerne forudser den faktiske behaviour under dobbeltpulstests.
Efter afsløring af Nexperias populære interaktive applikationsnoter, udgør de nye avancerede elektrotermiske modeller de seneste i en serie af næste generations support-værktøjer, designet af ingeniører til ingeniører, og de er planlagt til udgivelse over de kommende måneder. Den nye support af eksterne aktiviteter har til formål at gøre design-in af komponenter så sømløs som muligt for Nexperias kunder.
For mere information, besøg venligst: http://www.nexperia.com/advanced-support-tools
