Toshiba Electronics Europe GmbH har udviklet en serie af højeffektive N-kanal MOSFETs til automotive applikationer baseret på virksomhedens egen avancerede U-MOSVIII-H procesteknologi. XPN3R804NC og XPN7R104NC er begge ratede til 40V, mens XPN6R706NC og XPN12006NC supporterer 60V-drift. Alle komponenterne har ekstremt lave ON-modstandsværdier ned til 3,8mΩ (for XPN3R804NC ved 10V) samt minimale lækstrømme.
De nye MOSFETs er kapslede i overflademonterede TSON Advance (WF) huse, der betyder, at pladsen på printet er udnyttet optimalt. Footprint er typisk 3,3mm × 3,6mm, og de nye MOSFETs kan erstatte komponenter på op til 5mm × 6mm. Med brugen af flanketerminaler, der kan wettes, lettes såvel montageprocesserne og automatisk optisk inspektion (AOI).
Med fuld AEC-Q101-certificering er de nye MOSFET-komponenter tiltænkt brug inden for især de automotive segmenter. Takket være den kompakte udformning bidrager komponenterne betydeligt til en formindskelse af et køretøjs elektroniske styringer (ECU’er). Andre mulige applikationer, hvor de nye MOSFETs kan gøre god brug inkluderer switchede regulatorer, DC/DC-konvertere og elektriske motordrev.
Mere information om produkterne kan findes på de følgende links:
https://toshiba.semicon-storage.com/eu/semiconductor/product/mosfets/12v-300v-mosfets/detail.XPN3R804NC.html
