Toshiba Electronics Europe GmbH lancerer en ny 100V N-kanal power-MOSFET, der egner sig til automotivt udstyr som effekt-switche, switchede strømforsyninger og motordrev.
Den nye XK1R9F10QB er den første tilgængelige komponent fremstiller med Toshibas nye U-MOS X-H serie af MOSFET-procesteknologi med en trench-struktur, som er virksomhedens nyeste generation af processer. Med sin kapsling i et TO-220SM(W) hus med meget lav aktiv modstand, har den nye komponent en on-modstand (RDS(on)) med en maksimalværdi på kun 1,92mΩ ved en VGS på 10V. Det repræsenterer en forbedring/ reduktion på rundt regnet 20% sammenlignet med nuværende komponenter som TK160F10N1L, hvilket medvirker til at reducere forbruget og øger effektiviteten i blandt andet automotive applikationer. XK1R9F10QB udviser desuden en reduceret switching-støj gennem en optimering af kapacitanskarakteristikken, hvorved også støjudstrålingen fra komponenten bliver mindre.
Den nye part kan tåle en drain-source spænding (VDSS) på 100V og kan håndtere nominelle kontinuerte drain-strømme (ID) på 160A, eller 480A pulserende (IDP). Komponenten kan fungere med kanaltemperaturer på 175ºC og har en kanal-til-case termisk modstand (Zth(ch-c)) på mindre end 0,4ºC/W, som betyder en bedre termisk ydelse.
XK1R9F10QB er kvalificeret til AEC-Q101 for automotive applikationer, og der er en PSpice model gratis til rådighed for hjælp til hurtig simulering.
Følg nedenstående link for mere information om den nye Toshiba MOSFET:
https://toshiba.semicon-storage.com/eu/semiconductor/product/mosfets/12v-300v-mosfets/detail.XK1R9F10QB.html
