Mouser Electronics, Inc. lagerfører nu LMG341xR050 galliumnitrid (GaN) effekttrinnet fra Texas Instruments (TI). Med en integreret gate-driver og robuste beskyttelsesfunktioner gør den nye 600V, 50 milliohm komponent det muligt for designere at opnå helt nye effektivitetsniveauer i deres effektkonverteringssystemer, som inkluderer kompakte industrielle– og forbruger strømforsyninger, HV-batteriladere, solcellepanel invertere og multiniveau konvertere.
TI LMG341xR050 GaN effekttrinnet, som leveres via Mouser Electronics, giver en række fordele sammenlignet med silicium MOSFETs som ultralave input- og output-kapacitanser, lav ringning under switching for lavere støj samt en zero reverse-recovery, der reducerer switch-tabene med op til 80 procent. Komponentens integrerede gate-driver supporterer switching ved op til 100V/ns stort set med nul Vds-ringning, mens den trimmede gatebias-spænding sikrer pålidelig switching gennem kompensering for variationer i tærskelværdierne. Effekttrinnets enestående funktioner gør det muligt for designere at optimere ydelsen og pålideligheden i enhver strømforsyning – også meget tætte og effektive topologier som totempæl PFC-strukturer (power factor correction).
LMG341xR050 GaN effekttrinnet inkluderer robuste beskyttelsesfunktioner, som ikke kræver nogen eksterne beskyttelseskomponenter. Komponenten har overtemperaturbeskyttelse og transient-overspændingsimmunitet samt UVLO- beskyttelse (under voltage lock out) på samtlige forsynings-rails. LMG341xR050 har desuden en overstrømsbeskyttelse med en responstid på mindre end 100ns foruden en slew-rate immunitet bedre end 150V/ns.
For mere information, besøg venligst: https://eu.mouser.com/new/texas-instruments/ti-lmg341xr050-gan-power-stage/.
