Toshiba Electronics Europe tilføjer to nye N-kanal komponenter til sin U-MOS IX-H familie af højeffektive, high-speed switching-MOSFETs. TK3R1E04PL og TK3R1A04PL giver designere en bedre ydelse og reducerer forbruget i strømforsyningsapplikationer som DC/DC-konvertere og sekundærsiden på switchede AC/DC-strømforsyninger.
TK3R1E04PL (TO-220 hus) og TK3R1A04PL (TO-220SIS hus) har maksimal VDSS på 40V og kan fungere ved gate-source spændinger (VGSS) på +/-20V. De respektive maximale DC drain-strømme er henholdsvis 100A og 82A.
Begge komponenter har lave typiske on-modstande (RDS(ON)) på blot 2,5mΩ (@VGS=10V) og typiske output.kapacitanser (COSS) på 1.000pF. Disse karakteristika sikrer en effektiv on-state drift, hurtig switching og lavere switch-tab.
Ved at give ”klassens bedste” trade-off mellem modstand og kapacitans sikrer TK3R1E04PL og TK3R1A04PL en optimale ydelse og effektivitet i strømforsyningsapplikationer Det inkluderer synkrone ensretterdesigns, hvor en lav outpu-ladning (QOSS) reducerer komponentens bidrag til tabene i ensretningen.
De nye MOSFETs vil fungere ved kanaltemperaturer op til 175ºC, hvor U-MOS IX-H teknologien sikrer stabil drift over hele temperaturområdet og alle slags belastninger.
Toshiba Electronics Europe
Web: http://www.toshiba.semicon-storage.com.
