Toshiba Electronics Europe GmbH lancerer nu tolv nye 650V siliciumcarbid (SiC) Schottky-barrieredioder (SBDs) baseret på virksomheden nyeste 3. generations procesteknologi. De nye komponenter er specifikt tiltænkt brug i effektivitetskritisk industrielt udstyr som switchede strømforsyninger, ladestationer til elkøretøjer og solcelle-invertere.
Under navnet TRSxxx65H-serien, anvender de nye komponenter et ligeledes nyt Schottky-metal. Denne 3. generations SiC SBD-chip optimerer junction-barriere Schottky-strukturen (JBS) i forhold til 2. generations produkterne, hvorved det elektriske felt i Schottky-interface optimeres og man reducerer lækstrømmen – hvilket fører til en bedre effektivitet.
3. generations komponenterne har en fremragende lav forward-spænding (VF) på 1,2V (typ.). Det er en 17% reduktion sammenlignet med 2. generationsprodukterne. De nye 3. generaitonsprodukter har også en forbedret trade-off mellem VF og den totale kapacitive ladning (QC), der typisk er på 17nC for TRS6E65H.
VF– og reverse-strøm (IR) forholdet er også forbedret i forhold til 2. generationsprodukterne, hvor TRS6E65H typisk opnår en IR-værdi på 1,1µA. Alle disse forbedringer reducerer effektafsættelsen og bidrager til en højere effektivitet i slutbrugerudstyret.
Komponenter i TRSxxx65H-serien kan levere forward DC-strømme (IF(DC)) op til 12A firkantede ikke-repeterende surge-strømme, IFSM, op til 640A. Syv af det nye komponenter er kapslet i TO-220-2L huse, mens de resterende fem typer leveres i kompakte og flade DFN8×8 SMD-huse.
Besøg Toshibas website for flere oplysninger om den nye TRSxxx65H-serie.
