Toshiba Electronics Europe GmbH introducerer en ny serie af N-kanal power MOSFETs. Det første produkt i 600V DTMOSVI-serien er TK055U60Z1, der er baseret på Toshibas nyeste generation af processer med super-junction struktur.
Den nye MOSFET har en RDS(on) på kun 55mΩ – en 13% forbedring i forhold til lignende komponenter i virksomhedens etablerede DTMOSIV-H serie. Dertil kommer en FoM (figure of merit) RDS(on) x Qgd – en mål for en MOSFETs samlede ydelse og effektivitet – som er forbedret med rundt regnet 52%. Target-applikationer inkluderer højeffektive switchede strømforsyninger i datacentre, invertere til solcellepaneler samt UPS-løsninger.
Det nye produkt leveres i en populær TOLL-kapslinger, der har en Kelvin-forbindelse til signal-source terminalen. Derfor får source’s trådinduktans mindre indflydelse og oscillation under switching bliver reduceret, så switching-ydelsen bliver optimeret, når MOSFET’en arbejder ved høje gating-hastigheder. Den anvendte pin-form sikrer gode lodninger og en bedre pålidelighed i montagen med samtidig nemmere visuel inspektion.
Den maksimale channel-temperatur (Tch) for den nye MOSFET er 150°C. Den typiske RDS(on) på 47mΩ er specificeret ved en gate-source spænding på 10V.
Den typiske totale gate-ladning (Qg), gate-drain ladning (Qgd) og input-kapacitans (Ciss) er henholdsvis 65nC, 15nC og 3680pF. Disse faktorer gør det muligt for den nye komponent at switche ved de højest mulige hastigheder.
For mere information om TK055U60Z1 power MOSFET’en, se venligst: https://toshiba.semicon-storage.com/eu/semiconductor/product/mosfets/400v-900v-mosfets/detail.TK055U60Z1.html
