Nexperia udvider nu sit udbud ad kapslinger til virksomhedens Nextpower 80V/100V MOSFET-portefølje, som hidtil kun har kunnet fås i LFPAK56E-huse, så typerne LFPAK56 og LFPAK88 nu også kan leveres. Komponenterne er designet til at kombinere en høj effektivitet med reducerede spikes i applikationer inden for telecom, servere, industrielektronik, hurtigladere, USB-PD samt motorstyringsapplikationer.
FoM -figure-of-merit, Qg x RDSon, har længe været fokus for halvlederproducenterne for forbedring af effektiviteten af MOSFET-switche. Uanset hvor meget man end forsøger at klemme FoM nedad, så er en utilsigtet sideeffekt øgede spike-niveauer, når en MOSFET switcher on/off, og det øger den genererede støj. I erkendelse af problemet har Nexperia forsket i, hvordan man har kunnet ændre i procesparametrene andre steder i teknologien for at mindske spikes. Det har ført til udgivelsen af Nexperias nyeste NextPower 80V/100V MOSFET med lavere Qrr (reverse recovery charge), så spiking i høj grad bliver reduceret under switching af transistorerne til trods for, at ydelsen fortsat er mindst lige så høj som for konkurrerende MOSFETs – men med en betydeligt lavere støjemission.
Ved at fremstille disse højeffektive low-spike NextPower 80V/100V MOSFETs i LFPAK56- og LFPAK88-huse gør Nexperia det ikke bare muligt at mindske størrelsen af applikationen, men man opnår også fordelene i form af en mere robust komponent på grund af de kobber-clip kapslinger, som Nexperia anvender. Det giver desuden designingeniører og kunder, der leder efter nye ressourcer til eksisterende designs flere nye valgmuligheder.
For mere information om Nexperia’s Nextpower MOSFETs, se venligst:
https://www.nexperia.com/products/mosfets/family/NEXTPOWER-80-100V-MOSFETS/
