Franske CEA-Leti præsenterede nye integrations- og pakningsteknologier til næste LiDAR-generation baseret på optiske netværk til autonome køretøjer på Electronic Components and Technology (ECT) konferencen 30. maj – 2. juni i Orlando, Florida, USA.
Titlen på præsentationen er “Advanced 3D Integration TSV and Flip Chip Technologies Evaluation for the Packaging of a Mobile LiDAR 256-Channel Beam Steering Device Designed for Autonomous Driving Application”, og systemet er udviklet med forskningsinstituttets 3D mikroelektronik platform. Takket være TSV’er (through silicon via) med en diameter på 10 µm (mid-process) forbedres interkonnekt-tætheden betydeligt ved at distribuere dem på hele bagsidefladen af enhederne. Og ved at kombinere 40 µm fine-pitch blyfrie flip-chip lodninger på en silicium interposer giver denne kollektive integration bedre ydelse og kompakthed af LiDAR enhederne og lavere kostpris for brug i autonome køretøjer, fremhæver CEA-Leti.
Første generations LiDAR enheder var baseret på en mekanisk genereret beam-styring og var fysisk for store til fuldt ud at kunne integreres i en bil. I Leti’s forskning blev styringskonceptet udviklet i siliciumteknologi på wafer-niveau inklusive optiske fase-array. En beam-bølgelængde på 1555 nm bliver derpå ledet ind i kredsløbet via grating-baserede koblere og ført gennem siliciumoxid bølgeledere til styringsområdet. Derved opnås en præcis information uden forsinkelse og med god vinkelopløsning om position og hastighed af forhindringer på kørebanen og omkring køretøjet, uafhængig af lysbetingelserne.
Sammen med CEA-Leti’s fem øvrige præsentationer på ECT konferencen illustrerer denne LiDAR-teknologi forskningsinstituttets ekspertise inden for 3D interkonnektion, primært i forbindelse med Leti’s halvlederplatform på wafer-niveau. System-in-package og 3D integration gør det muligt at blande forskellige teknologier og/eller substratmaterialer, ikke kun til højtydende HPC applikationer som kræver meget tætte interkonnekt-forbindelser, men også til prisfølsomme applikationer såsom edge AI og IoT enheder.
- Vor målsætning er at kunne tilbyde et højt niveau af integration gennem high-density, fine-pitch interkonnektioner til forskellige krav for en bred vifte af applikationer, sagde Sylvie Joly, partnerskabs manager for 3D integration & packaging hos CEA-Leti. Og tilføjer, at vore laboratoriers brede område af avancerede teknologier komplementerer hinanden, f.eks. er hybrid-bonding såsom chip-til-wafer og wafer-til-wafer med tætte interkonnekt-forbindelser nært knyttet til TSV’er for at bibeholde densiteten til yderligere lag eller ball grid array (BGA) forbindelser.
(http://www.cea.fr/english)
