Infineon Technologies AG og GaN Systems Inc. meddeler, at selskaberne har underskrevet en endelig aftale, hvorefter Infineon vil købe GaN Systems for 830 millioner USD. GaN Systems er en global teknologileder inden for udvikling af GaN-baserede løsninger til strømkonvertering. Virksomheden har hovedkontor i Ottawa, Canada, og har fået mere end 200 ansatte igennem sin relativt korte tid på markedet.
– GaN-teknologien baner vejen for mere energieffektive og CO2-besparende løsninger, der understøtter dekarbonisering. Indførelsen af applikationer som mobilopladning, strømforsyninger til datacentre, solcelle-invertere til boliger og indbyggede opladere til elektriske køretøjer er på vendepunktet, hvilket fører til en dynamisk markedsvækst. Det planlagte opkøb af GaN Systems vil markant accelerere vores GaN-køreplan baseret på uovertrufne R&D-ressourcer, applikationsforståelse og kundeprojektpipeline. Efter vores strategi vil kombinationen yderligere styrke Infineons lederskab inden for Power Systems gennem beherskelse af alle relevante effektteknologier, det være sig på substrater af silicium, siliciumcarbid eller galliumnitrid, siger Jochen Hanebeck, administrerende direktør for Infineon.
Jim Witham, administrerende direktør for GaN Systems, tilføjer:
– GaN Systems-teamet er begejstrede for at samarbejde med Infineon for at skabe meget differentierende kundetilbud, baseret på at samle komplementære styrker. Med vores fælles ekspertise i at levere overlegne løsninger, vil vi udnytte potentialet i GaN optimalt. Kombinationen af GaN Systems’ støberikorridorer med Infineons interne produktionskapacitet muliggør maksimal vækstkapacitet for at tjene den accelererende indførelse af GaN i en lang række af vores målmarkeder. Jeg er meget stolt af, hvad GaN Systems har opnået indtil videre og kan ikke vente med at hjælpe med at skrive det næste kapitel sammen med Infineon. Som en integreret enhedsproducent med en bred teknologisk kapacitet gør Infineon os i stand til at frigøre vores fulde potentiale.
Som et af de to store WBG-materialer (wide bandgap) har GaN en ekstremt høj effekttæthed, højere effektivitet og potentiale for størrelsesreduktioner, især ved højere switching-frekvenser. Disse egenskaber muliggør energibesparelser og mindre formfaktorer, hvilket gør GaN velegnet til et utal af applikationer. I 2027 forventer markedsanalytikere, at GaN-omsætningen for strømapplikationer vil vokse med 56% CAGR til ca. USD 2 milliarder (kilde: Yole, Compound Semiconductor Market Monitor-Module I Q4 2022). Som sådan er GaN ved at blive et nøglemateriale for effekthalvledere sammen med silicium og siliciumcarbid og kombineret med nye topologier, såsom Hybrid Flyback og multi-level implementeringer. I februar 2022 annoncerede Infineon at fordoble sin WBG-indsats ved at investere mere end €2 milliarder i en ny frontend-fabrik i Kulim, Malaysia, hvilket styrker virksomhedens markedposition ganske betydeligt. De første wafers vil forlade fabrikken i anden halvdel af 2024, hvilket tilføjer Infineons eksisterende WBG-produktionskapacitet i Villach, Østrig.
Det planlagte opkøb af GaN Systems i en kontant transaktion vil blive finansieret fra eksisterende likviditet. Transaktionen er underlagt de sædvanlige betingelser, herunder myndighedsgodkendelser.
RSH
