Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba”) introducerer en ny MOSFET gate-driver IC, TCK421G, til styring af gate-spændinger af eksterne N-kanal MOSFETs baseret på input-spændingen.
MOSFET gate-driverne egner sig til konfiguration af effektmultiplexere eller belastnings-switche, der arbejder med reverse-current blocking gennem en back-to-back forbindelse af eksterne N-kanal MOSFETs.
TCK421G indeholder er charge-pump kredsløb, der supporterer et bredt udsnit af input-spændinger (VIN) fra 2,7 til 28,0V, hvilket sikrer en stabil forsyning på 10V til gate-source spændingen på eksterne MOSFETs, hvilket letter switching af større strømme. Den typiske arbejdsstrøm i ON-tilstand (IQ(ON)) er så lav som 140mA, mens standby-strømmen i OFF-tilstand (IQ(OFF)) kun er 0,5mA. Dertil kommer, at TCK421G indeholder både overspændings- og underspændings-lockout funktion. Gate-driver spændingen kan vælges, så den er optimalt egnet til applikationen.
Med sin kapsling i et chip-scale WCSP6G ”hus” har komponenten et footprint på bare 1,2mm x 0,8mm og en højde på 0,35mm. Det er én af de mindste kapslinger i branchen, og det letter design-in i tætpakkede produkter som wearables og smartphones.
TCK421G er første produkt i en serie, der i sidste ende vil bestå af i alt seks komponenter. Med sin høje effektivitet og lille størrelse kan den ny driver bruges i en lang række applikationer inden for blandt andet batteriforsynet forbruger- og industrielektronik.
For mere information om TEE, se venligst websiten: http://www.toshiba.semicon-storage.com.
