Toshiba Electronics Europe GmbH lancerer en TVS-diode med ultralav kapacitans. Komponenten er velegnet til at give en effektiv beskyttelse af elektronikkomponenter som halvledere mod ESD-udladning (statisk elektricitet) og støj samtidigt med, at dioden forhindrer forringelse af signalkvaliteten i højfrekvensantenner til elektronisk udstyr. I den rolle forventes den nye komponent at spille en stor rolle i mange slags elektronisk udstyr, ikke mindst mobile produkter.
Den nye DF2B6M4BSL TVS-diode har en samlet kapacitans på kun 0,12pF (0,15pF max.), hvilket er det endnu laveste for nogen Toshiba-komponenter af denne slags, og det repræsenterer (ca.) en 25 procents reduktion af kapacitansen sammenlignet med det eksisterende Toshiba-produkt (DF2B6M4ASL).
Inden for højfrekvensantenner til radiokommunikation som i Wi-Fi skal den oprindelige signalkvalitet bibeholdes, så man undgår den harmoniske forvrængning, der normalt forårsages ved tilføjelse af en TVS-diodes kapacitans. Den nye DF2B6M4BSL med sin ultralave kapacitans har en yderst hurtig respons i sin undertrykkelse af højspændings-spikes uden, at det påvirker den oprindelige datasignalkvalitet.
Når DF2B6M4BSL bruges ved 5,0GHz, en almindelig frekvens i Wi-Fi applikationer, med et 20dBm -nput, er den 2. harmoniske -64,7dB, mens 3. harmoniske er på -55,5dB. Komponenten er derfor velegnet til ESD-beskyttelse i højfrekvente antenner.
For mere information, se venligst:
http://www.toshiba.semicon-storage.com.
