Toshiba Electronics Europe løfter sløret for sine nyeste Schottky-barrieredioder (SBDs) baseret på virksomhedens 2. generations siliciumcarbid (SiC) halvlederteknologi. Disse nye SBD’er giver op til 50 procent højere strømtæthed end 1. generations komponenterne,og de kan håndtere betydeligt højere forward pulsstrømme.
Brugen af SiC-halvledere hjælper designere til en forbedring af effektiviteten, reducerer varmeafsættelsen og sparer plads i high-speed switch-designs. SiC effektkomponenter giver desuden en stabil drift over et bredere temperaturområde end siliciumalternativerne – selv ved højere spændinger og strømme.
Med sin 2. generations SiC-proces har Toshiba formået af reducere die-tykkelsen, så SBD-strømtæthederne er rundt regnet 1,5 gange højere end 1. generations komponenterne. Dertil kommer, at 2. generations SBD’erne giver højere non-repetitiv forward pulsstrømhåndtering (IFSM).
De første produkter i 2. generations line-up’et vil være 650V-komponenter med nominelle strømme op til 4A (TRS4E65F), 6A (TRS6E65F), 8A (TRS8E65F) og 10A (TRS10E65F) i TO-220 2-pin og isolerede TO-220 2-pin huse med benævnelsen TRS..A65F. De nye dioder vil være ideelle til high-speed switch-konverterdesigns som PFC-produkter (power factor correction), fotovoltaiske invertere og UPS’er. Toshibas SiC SBD’er kan desuden bruges til at forbedre effektiviteten af switchede strømforsyninger gennem en erstatning af de konventionelle siliciumdioder.
Toshiba Electronics Europe
Web: http://www.toshiba.semicon-storage.com
